750千伏昆仑山输变电工程全力推进建设
在这些领域的研究成果十分丰富,伏昆不仅在Nature和Science上发表过十几篇文章,而且这些论文的引用量也是大得惊人。
SI对全球所有高校及科研机构的SCIE、仑山力推SSCI库中近11年的论文数据进行统计,仑山力推按被引频次的高低确定出衡量研究绩效的阈值,分别排出居世界前1%的研究机构、科学家、研究论文,居世界前50%的国家/地区和居前0.1%的热点论文。近年中国内地高校发展迅猛,输变设在985、211的建设下初见成效。
材料人特意为您整理了材料、电工化学领域的期刊TOP10。程全所有统计数字每两个月更新一次。总的来看,进建中国科学院大学位列国内高校第一,世界排名第107位,入选学科数也达到17个之多。
2018年3月材料学科ESI前1%中国内地高校排名序号高校名称世界排名文章数量引用数量1中国科学院1354516297212中国科学院大学584011492313清华大学787201408804上海交通大学176861970375浙江大学215841916416复旦大学223364893077哈尔滨工业大学279028870898中国科学技术大学364164734549北京大学3837287274810吉林大学4149916907111华南理工大学4852396386412中南大学5078926309313北京科技大学6479785919314苏州大学7131175552615华中科技大学7243475486916天津大学7347505442517四川大学7745865115918西安交通大学7851585065019南京大学8031224918520大连理工大学8145714848521山东大学8938784591622西北工业大学9062854577423武汉大学9726304255924北京航空航天大学10241224075425南开大学10716693910026武汉理工大学11136863882427中山大学11420553756028北京化工大学11723373741129东南大学13430683331330华东理工大学13621593301431同济大学13829743239732厦门大学14020093229033重庆大学14339223171634北京理工大学15124213026635上海大学15331312998036东华大学16227302886337兰州大学16318462860938东北大学17447092762139南京航空航天大学17724142724440南京工业大学18224952602241湖南大学186237525612上图为您列出了此次中国内地高校材料学科进入世界前200的高校,伏昆中国内地41所院校闯进榜单TOP200。自从2014年国科大成立以来势头不可抵挡,仑山力推整合了中科院的优势在各大榜单中突飞猛进。
ESI针对22个专业领域,输变设通过论文数、输变设论文被引频次、论文篇均被引频次、高被引论文、热点论文和前沿论文等6大指标,从各个角度对国家/地区科研水平、机构学术声誉、科学家学术影响力以及期刊学术水平进行全面衡量。
Chemistry 化学领域MaterialsScience材料科学本文由材料人学术组Allen供稿,电工材料牛整理编辑。近年来,程全普鲁士蓝(PB)及其类似物作为钠离子电池的正极而被广泛研究,应用优势明显。
将表面包覆PDA的NFF用作钠离子电池的正极,进建在电流密度为0.2Ag−1时,进建经过500次循环后可逆容量为93.8mAhg−1,在电流密度为5.0Ag−1时放电容量为72.6mAhg−1。因此,伏昆可以作为高分子包覆层修饰在普鲁士蓝的表面,从而稳定普鲁士蓝在钠离子脱嵌过程中的结构,稳定其电化学性能。
【成果简介】近日,仑山力推以河南师范大学刘阳副教授为第一作者,仑山力推上海大学特聘教授乔芸博士,河南师范大学路战胜副教授和澳大利亚伍伦贡大学侴术雷教授为共同通讯作者,报道了纳米立方的多孔PB-NaxFeFe(CN)6(NFF)表面涂覆PDA来提高它的电化学性能。【图文导读】图1.多孔普鲁士蓝纳米立方@聚多巴胺异质结构制备示意图(a)多孔NFF@PDA的合成过程的示意图(b)NFF、输变设PDA和多孔NFF@PDA的结构的示意图图2.多孔普鲁士蓝纳米立方@聚多巴胺异质结构的微纳结构表征(a,d)多孔NFF(a)和多孔NFF@PDA(d)的FE-SEM图(b,e)多孔NFF(b)和多孔NFF@PDA(e)的TEM图(c,f)多孔NFF(c)和多孔NFF@PDA(f)的HRTEM图(g-i)多孔NFF和多孔NFF@PDA的XRD图(g)、输变设红外光谱图(h-i)图3.多孔普鲁士蓝纳米立方@聚多巴胺异质结构电化学特性及原位拉曼光谱分析(a)电流密度为0.2Ag−1时多孔NFF@PDA的充放电曲线(b)扫描速率为0.2mVs−1时2.0~4.2V的NFF@PDA的CV曲线(c)多孔NFF和多孔NFF@PDA的倍率性能(d)电流密度不同时多孔NFF@PDA的充放电曲线(e)电流密度为0.2Ag−1时多孔NFF和多孔NFF@PDA的循环性能(f-g)首次循环过程中NFF@PDA的原位拉曼光谱(f)及相应的充放电曲线(g)图4.第一性原理计算机制分析图(a)PDA的Fukui-nucleophilic函数(b)PDA的自旋密度(c)PDA分子有1个钠原子吸附的优化结构(d)PDA分子有2个钠原子吸附的优化结构(e)纯PB的slab模型(f)PB耦合PDA的slab模型(g,h)纯PB的S型(f)和线型(h)钠离子迁移路径(i,j)PB耦合PDA的S型(i)和线型(j)钠离子迁移路径。